ESPCI web site
Introduction : Dans ce projet, nous allons étudier des dispositifs à semi-conducteurs SiGe pour la photodétection dans la gamme spectrale 2-4µm. Nous allons nous intéresser notamment aux effets d’exaltation de la photo-réponse lorsque ces dispositifs sont combinés avec des microcavités. Ces études vont potentiellement mener à des nouveaux détecteurs et phototransistors sur Si avec une application pour le calcul neuromorphique.
Contexte du projet : Il s’agit d’un projet de recherche fondamentale dans le cadre du projet ANR GERALD, qui est une collaboration internationale impliquant le laboratoire LPEM de l’ESPCI et plusieurs autres partenaires académiques français et allemands.
Description de l’unité de recherche : L’ingénieur d’étude va mener ces travaux dans la salle optique d » l’équipe CMQED du Laboratoire LPEM à l’ESPCI. Ce laboratoire accueille une activité sur des dispositifs optoélectronique pour la gamme spectrale de la moyenne infrarouge et THz.
Mission : Le travail consistera, dans un premier temps, à concevoir des architectures résonantes pour la gamme spectrale du 2-4µm par modélisations numériques. Ces structures seront ensuite fabriquées et caractérisées sur le banc d’essaie optique de l’équipe CMQED. La nanofabrication aura lieu dans les centrales technologique du réseau Paris Centre.
Encadrement : Pr. Yanko Todorov (LPEM).
Profil : Candidat(e) ayant ou en cours d’un doctorat en physique. Des connaissances en physique des solides, mécanique quantique, électromagnétisme sont souhaitées. Une expérience de recherche passée dans le domaine de l’optoélectronique moyen infrarouge et les dispositifs à semiconducteurs est souhaitée. Une expérience dans la nanofabrication des dispositifs SiGe dans une grande centrale technologique (i.e. C2N, Paris Centre, CEA…) est fortement souhaitée.
Modalités du recrutement
Durée : 4 mois. Début : Mai 2026
Candidature : Envoyer CV, Lettres de motivation & recommandation à :
